參數(shù)資料
型號： MKI41T56S00TR
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 時鐘/數(shù)據(jù)恢復及定時提取
英文描述： 0 TIMER(S), REAL TIME CLOCK, PDSO8
封裝： 0.150 INCH, PLASTIC, SOP-8
文件頁數(shù)： 11/16頁
文件大?。?/td> 105K
代理商： MKI41T56S00TR
MK41T56, MKI41T56
4/16
Table 4. AC Measurement Conditions
Note that Output Hi-Z is defined as the point where data is no longer
driven.
Input Rise and Fall Times
≤ 5ns
Input Pulse Voltages
0 to 3V
Input and Output Timing Ref. Voltages
1.5V
Figure 5. AC Testing Load Circuit
AI01019
5V
OUT
CL = 100pF
CL includes JIG capacitance
1.8k
DEVICE
UNDER
TEST
1k
Figure 4. Block Diagram
AI00586C
SECONDS
OSCILLATOR
32.768 kHz
VOLTAGE
SENSE
and
SWITCH
CIRCUITRY
SERIAL
BUS
INTERFACE
DIVIDER
CONTROL
LOGIC
ADDRESS
REGISTER
MINUTES
HOURS
DAY
DATE
MONTH
YEAR
CONTROL
RAM
(56 x 8)
OSCI
OSCO
FT/OUT
VCC
VSS
VBAT
SCL
SDA
1 Hz
相關PDF資料
PDF描述
ML2035IP 1-BIT, DSP-NUM CONTROLLED OSCILLATOR, PDIP8
ML54053 IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP120
ML610Q346J-NNNTB 8-BIT, FLASH, 4.2 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PQFP64
ML610Q409-NNNTBZ03A RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
ML610Q408-NNNTBZ03A RISC MICROCONTROLLER, PQFP100
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MKI50-06A7 功能描述:IGBT 模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MKI50-06A7T 功能描述:分立半導體模塊 50 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MKI50-12E7 功能描述:分立半導體模塊 IGBT (NPT3) 1200V 50A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
MKI50-12F7 功能描述:IGBT 模塊 50 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
MKI65-06A7T 功能描述:分立半導體模塊 65 Amps 600V RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝:
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