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參數(shù)資料
| 型號： | MJW21192 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS |
| 中文描述： | 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AE |
| 文件頁數(shù)： | 8/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 150K |
| 代理商： | MJW21192 |
8
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
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– US & Canada ONLY 1–800–774–1848
INTERNET
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MKP1V120 | KPSE 39C 37#20 2#16 PIN PLUG |
| MKP1V120 | CANMS3126E20-41PF0 |
| MKP1V120RL | MS3126E20-41PWF0 |
| MKP1V130RL | CANMS3126E20-41PY |
| MKP1V130 | MS3126E20-41PXF0 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJW21192_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W |
| MJW21192G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21193 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJW21193_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W |
| MJW21193_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Power Transistors |
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