參數(shù)資料
型號(hào)： MJW21192
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8.0 AMPERES POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 VOLTS 100 WATTS
中文描述： 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-247AE
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
文件大小： 150K
代理商： MJW21192
6
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340K–03
(TO–247AE)
ISSUE A
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010)
M
T B
M
0.25 (0.010)
M
Y Q
S
J
H
C
4
1
2
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
P
Q
R
U
V
MIN
19.7
15.3
4.7
1.0
1.27 REF
2.0
5.5 BSC
2.2
0.4
14.2
5.5 NOM
3.7
3.55
5.0 NOM
5.5 BSC
3.0
MAX
20.3
15.9
5.3
1.4
MIN
0.776
0.602
0.185
0.039
0.050 REF
0.079
0.216 BSC
0.087
0.016
0.559
0.217 NOM
0.146
0.140
0.197 NOM
0.217 BSC
0.118
MAX
0.799
0.626
0.209
0.055
INCHES
MILLIMETERS
2.4
0.094
2.6
0.8
14.8
0.102
0.031
0.583
4.3
3.65
0.169
0.144
3.4
0.134
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MKP1V120 KPSE 39C 37#20 2#16 PIN PLUG
MKP1V120 CANMS3126E20-41PF0
MKP1V120RL MS3126E20-41PWF0
MKP1V130RL CANMS3126E20-41PY
MKP1V130 MS3126E20-41PXF0
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJW21192_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8.0 A POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 150 V, 125 W
MJW21192G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 100W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21193 功能描述:兩極晶體管 - BJT 16A 250V 200W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJW21193_05 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:16 A COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS 250 V, 200 W
MJW21193_10 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Silicon Power Transistors
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