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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MJF44H11 |
| 廠商： | MOTOROLA INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | MJF44H11 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJF45H11 | 10 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| MJF16002 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| MJF16204 | 6 A, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220 |
| MJH10012 | 10 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
| MJH16002 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-218 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJF44H11_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 10 AMPERES 80 VOLTS, 36 WATTS |
| MJF44H11_09 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors |
| MJF44H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJF44H11GOS-ND | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| MJF45H11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 10A 80V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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