參數(shù)資料
型號(hào): MJE800
廠商: ON SEMICONDUCTOR
元件分類: 功率晶體管
英文描述: Plastic Darlington Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)型達(dá)林頓硅功率晶體管)
中文描述: 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-225
封裝: PLASTIC, CASE 77-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大小: 84K
代理商: MJE800
MJE700, MJE702, MJE703 (PNP) MJE800, MJE802, MJE803 (NPN)
http://onsemi.com
5
ORDERING INFORMATION
Device
Package
Shipping
MJE700
TO225
50 Units / Bulk
MJE700G
TO225
(PbFree)
MJE702
TO225
MJE702G
TO225
(PbFree)
MJE703
TO225
MJE703G
TO225
(PbFree)
MJE800
TO225
MJE800G
TO225
(PbFree)
MJE802
TO225
MJE802G
TO225
(PbFree)
MJE803
TO225
MJE803G
TO225
(PbFree)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJF4343 POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON
MJF6388 Complementary Power Darlingtons(互補(bǔ)型功率晶體管)
MJL0281A Complementary NPN(互補(bǔ)型NPN)
MJL0302A Complementary NPN(互補(bǔ)型NPN)
MJW21196 Silicon Power Transistors(硅功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE800G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 4A 60V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE800STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE800T 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(4.0A,60-80V,40W)
MJE801 功能描述:達(dá)林頓晶體管 RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJE801STU 功能描述:達(dá)林頓晶體管 NPN Si Transistor Epitaxial Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel