參數(shù)資料
型號(hào): MJE703
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
中文描述: npn型(高直流電流增益)
文件頁(yè)數(shù): 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商: MJE703
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ISSUE V
STYLE 1:
PIN 1.
EMITTER
COLLECTOR
BASE
2.
3.
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
U
–A–
M
K
F
C
Q
H
V
G
S
D
J
R
1
3
2
2 PL
0.25 (0.010)
M
A
M
B
M
M
A
M
0.25 (0.010)
B
M
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
MIN
0.425
0.295
0.095
0.020
0.115
0.094 BSC
0.050
0.015
0.575
5 TYP
0.148
0.045
0.025
0.145
0.040
MAX
0.435
0.305
0.105
0.026
0.130
MIN
10.80
7.50
2.42
0.51
2.93
MAX
11.04
7.74
2.66
0.66
3.30
MILLIMETERS
INCHES
2.39 BSC
1.27
0.39
14.61
5 TYP
3.76
1.15
0.64
3.69
1.02
0.095
0.025
0.655
2.41
0.63
16.63
0.158
0.055
0.035
0.155
–––
4.01
1.39
0.88
3.93
–––
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PDF描述
MJE802 DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY
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參數(shù)描述
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