參數(shù)資料
型號(hào)： MJE703
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
中文描述： npn型（高直流電流增益）
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 256K
代理商： MJE703
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
V
V
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
PNP
MJE700, T Series
NPN
MJE800, T Series
Figure 10. DC Current Gain
Figure 11. Collector Saturation Region
Figure 12. “On” Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06
0.2
2.0 k
800
4.0 k
h
VCE = 3.0 V
TJ = 125
°
C
3.0 k
0.1
0.6
25
°
C
–55
°
C
1.0 k
0.4
1.0
6.0 k
400
600
2.0
4.0
0.04
300
0.06
0.2
2.0 k
800
4.0 k
h600
0.1
0.6
1.0 k
0.4
1.0
6.0 k
400
2.0
4.0
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2.0
5.0
IC =
0.5 A
1.0 A
1.0
TJ = 25
°
C
3.0
1.0
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1.0
V
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06
0.2
2.0
0.1
0.6
0.4
1.0
4.0
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1.0
V
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06
0.2
2.0
0.1
0.6
0.4
1.0
4.0
20
50
100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1
0.2
0.5
10
2.0
5.0
1.0
3.0
1.0
20
50
100
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
2.0 A
4.0 A
TJ = 25
°
C
VCE = 3.0 V
TJ = 125
°
C
25
°
C
–55
°
C
IC =
0.5 A
1.0 A
TJ = 25
°
C
2.0 A
4.0 A
VBE(sat) @ IC/IB = 250
VBE @ VCE = 3.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25
°
C
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