參數(shù)資料
型號(hào)： MJE5851
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： PNP SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 8 A, 350 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 302K
代理商： MJE5851
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
MJE5852
Collector Cutoff Current
400
—
—
—
—
0.5
mAdc
(VEB = 6.0 Vdc, IC = 0)
SECOND BREAKDOWN
Second Breakdown Collector Current with base forward biased
Clamped Inductive SOA with base reverse biased
IS/b
RBSOA
See Figure 12
See Figure 13
*ON CHARACTERISTICS
(IC = 5.0 Adc, VCE = 5 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
—
5
—
—
—
2.0
Vdc
(IC = 4.0 Adc, IB = 1.0 Adc)
—
—
1.5
Resistive Load (Table 1)
Rise Time
2%)
tp = 50
μ
s, Duty Cycle
—
0.100
0.5
s
VBE(off) = 5 Vdc, tp = 50
μ
s, Duty Cycle
Fall Time
2%)
—
0.11
0.5
s
Inductive Load, Clamped (Table 1)
Crossover Time
(ICM = 4 A, VCEM = 250 V, IB1 = 1.0 A,
—
0.4
1.5
s
Storage Time
—
0.5
—
s
Crossover Time
—
0.125
—
s
(ICM = 4 A, VCEM = 250 V, IB1 = 1.0 A,
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PDF描述
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MJL1302 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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MJE5852 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High Voltage RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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MJE6040 制造商:NJSEMI 制造商全稱:New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 功能描述:POWER DERATING
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