參數(shù)資料
型號： MJE5731A
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS
中文描述： 1 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： MJE5731A
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
OFF CHARACTERISTICS
(VCE = 250 Vdc, IB = 0)
MJE5731
350
—
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0)
MJE5731
—
—
1.0
1.0
Emitter Cutoff Current
MJE5731
IEBO
—
—
—
1.0
1.0
1.0
mAdc
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
30
10
—
150
—
1.0
—
Vdc
Current Gain — Bandwidth Product
(IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 2.0 MHz)
Small–Signal Current Gain
hfe
10
25
—
—
MHz
—
V
TJ = 25
°
C
0.03
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
2.0
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
30
20
10
3.0
Figure 2. Collector–Emitter Saturation Voltage
0.02
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0
0.05
0.3
1.2
h
5.0
VCE = 10 V
1.0
2.0
1.4
1
TJ = 150
°
C
0.5
0.3
0.8
0.6
0.1
VCE(sat)) @ IC/IB = 5.0
0.2
0.2
0.4
25
°
C
–55
°
C
100
50
200
150
°
C
–55
°
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE5730 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS
MJE800 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT
MJE802 SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS
MJE702 NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
MJE703 NPN (HIGH DC CURRENT GAIN)
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參數(shù)描述
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