型號: | MJE5731A |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS |
中文描述: | 1 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件頁數(shù): | 1/6頁 |
文件大?。?/td> | 190K |
代理商: | MJE5731A |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJE5730 | 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS |
MJE800 | 4.0 AMPERE DARLINGTON POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 40 WATT 50 WATT |
MJE802 | SILICON NPN POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
MJE702 | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
MJE703 | NPN (HIGH DC CURRENT GAIN) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJE5731AG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 375V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE5731G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE5740 | 功能描述:達林頓晶體管 8A 300V Bipolar RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |
MJE5740_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:NPN Silicon Power Darlington Transistors 8 AMPERES 300−400 VOLTS 80 WATTS |
MJE5740G | 功能描述:達林頓晶體管 8A 300V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel |