參數(shù)資料
型號(hào)： MJE5730
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS PNP SILICON
中文描述： 1 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： PLASTIC, CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/6頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： MJE5730
1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply
drivers and other switching applications.
300 V to 400 V (Min) — VCEO(sus)
1.0 A Rated Collector Current
Popular TO–220 Plastic Package
PNP Complements to the TIP47 thru TIP50 Series
Peak
3.0
Base Current
1.0
Adc
Total Power Dissipation
@ TC = 25 C
40
Watts
Derate above 25 C
Unclamped Inducting Load Energy (See Figure 10)
Operating and Storage Junction Temperature Range
TJ, Tstg
0.016
20
–65 to +150
W/ C
mJ
C
E
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
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by MJE5730/D
1.0 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
300–350–400 VOLTS
40 WATTS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE5731A 1.0 AMPERE POWER TRANSISTORS PNP SILICON 300-350-400 VOLTS 40 WATTS
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參數(shù)描述
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MJE5731 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5731A 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 375V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE5731AG 功能描述:兩極晶體管 - BJT BIP PNP 1A 375V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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