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參數(shù)資料
| 型號： | MJE521 |
| 廠商： | SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | TO-127VAR, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 95K |
| 代理商： | MJE521 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE521 | 4 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE6043 | 8 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-127 |
| MJE700 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE701 | 4 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE800 | 4 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE521 | 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Transistor |
| MJE521_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:SILICON NPN TRANSISTOR |
| MJE521G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 40V 40W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE52T | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
| MJE53T | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:isc Silicon NPN Power Transistor |
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