參數資料
型號: MJE371
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: 4 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
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代理商: MJE371
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PDF描述
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MJE5852 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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相關代理商/技術參數
參數描述
MJE371G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 40V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE371G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor
MJE4340 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
MJE4341 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)
MJE4342 制造商:MOSPEC 制造商全稱:Mospec Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS(16A,100-160V,125W)