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參數(shù)資料
| 型號： | MJE5555 |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| 封裝： | TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 代理商： | MJE5555 |
2007. 9. 10
1/2
SEMICONDUCTOR
TECHNICAL DATA
MJE5555
TRIPLE DIFFUSED NPN TRANSISTOR
Revision No : 1
SWITCHING REGULATOR APPLICATION.
HIGH VOLTAGE SWITCHING APPLICATION.
HIGH SPEED DC-DC CONVERTER APPLICATION.
FLUORESCENT LIGHT BALLASTOR APPLICATION.
FEATURES
Excellent Switching Times
: tstg=2.5 S(Max.), tf=0.3 S(Max.), at IC=2.5A
High Collector Voltage : VCBO=1050V.
MAXIMUM RATING (Ta=25
)
1. BASE
2. COLLECTOR (HEAT SINK)
3. EMITTER
DIM
MILLIMETERS
TO-220AB
1.46
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
M
N
O
0.8
0.1
+
_
2.8
0.1
+
_
2.54
0.2
+
_
1.27
0.1
+
_
1.4
0.1
+
_
13.08
0.3
+
_
3.6
0.2
+
_
+
_
9.9
0.2
+
_
9.2
0.2
+
_
4.5
0.2
+
_
2.4
0.2
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
0.5+0.1/-0.05
3.7
1.5
A
F
B
J
G
K
M
L
E
I
O
C
H
NN
Q
D
Q
P
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25
)
CHARACTERISTIC
SYMBOL
RATING
UNIT
Collector-Base Voltage
VCBO
1050
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
400
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
12
V
Collector Current
DC
IC
5
A
Pulse
ICP
10
Base Current
IB
2.5
A
Collector Power Dissipation (Tc=25
)
PC
75
W
Junction Temperature
Tj
150
Storage Temperature Range
Tstg
-55
150
Note : hFE Classification
R:20
30, O:25
35, Y: 30~40
CHARACTERISTIC
SYMBOL
TEST CONDITION
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Emitter Cut-off Current
IEBO
VEB=14V, IC=0
-
10
A
DC Current Gain
hFE(1)
VCE=5V, IC=10mA
10
-
hFE(2)
VCE=3V, IC=0.8A
20
-
40
Collector-Emitter Saturation Voltage
VCE(sat)
IC=1A, IB=0.2A
-
0.5
V
IC=3.5A, IB=1A
-
1.5
Base-Emitter Saturation Voltage
VBE(sat)
IC=3.5A, IB=1A
-
1.2
V
IC=2A, IB=0.5A
-
1.6
Collector Output Capacitance
Cob
VCB=10V, f=0.1MHz, IE=0
-
45
-
pF
Turn-On Time
ton
IB1
100
B1
I
CC
V
=250V
IB2
300
S
I
B1=+0.5A, IB2=-1.0A
2%
OUTPUT
DUTY CYCLE
INPUT
<
=
-
2.0
S
Storage Time
tstg
-
2.5
S
Fall Time
tf
-
0.3
S
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE5555O | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE5852 | 8 A, 400 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
| MJE803 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJEC350 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJEC350 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE5730 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5730_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Plastic Power Transistors |
| MJE5730G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 300V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 350V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE5731A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 375V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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