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參數(shù)資料
| 型號： | MJE350T |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| 封裝： | TO-220, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/5頁 |
| 文件大小： | 501K |
| 代理商： | MJE350T |
DC Current Gain (NPN type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (NPN type)
DC Current Gain (PNP type)
Collector-Emitter Saturation Voltage (PNP type)
MJE340 / MJE350
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE340 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE350 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE350 | 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE340 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
| MJE171 | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE370 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS |
| MJE371 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE371G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 40V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE371G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| MJE4340 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
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