參數(shù)資料
型號(hào)： MJE350T
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 501K
代理商： MJE350T
THERMAL DATA
Rthj-case
Thermal Resistance Junction-case
Max
6.0
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector Cut-off
Current (IE = 0)
VCB = 300 V
100
A
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 3 V
100
A
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 1 mA
300
V
hFE
DC Current Gain
IC = 50 mA
VCE = 10 V
30
240
Pulsed: Pulse duration = 300s, duty cycle ≤ 2%
Safe Operating Area
Derating Curve
MJE340 / MJE350
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE340 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE350 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE350 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE340 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
MJE171 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE370 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
MJE371 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE371G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 40V 40W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE371G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:RF Bipolar Transistor
MJE4340 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors
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