參數(shù)資料
型號(hào)： MJE3440
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.3 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-126
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 313K
代理商： MJE3440
MJE3440
SILICON NPN TRANSISTOR
s
STMicroelectronics PREFERRED
SALESTYPE
s
NPN TRANSISTOR
DESCRIPTION
The MJE3440 is a NPN silicon Epitaxial Planar
transistors in SOT-32 plastic package. It is
designed for use in consumer and industrial
line-operated applications.
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
September 2003
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-Base Voltage (IE = 0)
350
V
VCEO
Collector-Emitter Voltage (IB = 0)
250
V
VEBO
Emitter-Base Voltage (IC = 0)
5V
IC
Collector Current
0.3
A
IB
Base Current
0.15
A
Ptot
Total Power Dissipation at Tcase
≤ 25 oC
15
W
Tstg
Storage Temperature
-65 to 150
oC
Tj
Max. Operating Junction Temperature
150
oC
SOT-32
3
2
1
1/5
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PDF描述
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參數(shù)描述
MJE344G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 200V 20W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE350 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Medium Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE350 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIP-300V 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -300V
MJE350 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126 制造商:STMicroelectronics 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-126
MJE350G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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