參數(shù)資料
型號(hào)： MJE253
廠(chǎng)商： ADVANCED SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 4 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： TO-126VAR, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 91K
代理商： MJE253
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE2801 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2801 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2901 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2901 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJE3055TG-TN3-R 10 A, 60 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE253G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE253G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
MJE254 制造商:CENTRAL 制造商全稱(chēng):Central Semiconductor Corp 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJE270 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE270G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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