參數(shù)資料
型號： MJE18604D2BU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 34/61頁
文件大小： 386K
代理商： MJE18604D2BU
MJE18604D2
3–782
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (VCC = 15 V)
Fall Time
IC = 300 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
170
210
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 50 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.7
2.7
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
150
400
ns
Fall Time
IC = 300 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
160
150
250
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 150 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.7
1.1
1
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
160
250
ns
Fall Time
IC = 500 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
165
700
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 50 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
3
4.1
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
200
800
ns
Fall Time
IC = 500 mAdc
I50
Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
110
130
175
ns
Storage Time
IB1 = 50 mAdc
IB2 = 250 mAdc
VZ = 300 V
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
0.7
1.8
1
s
Crossover Time
VZ 300 V
LC = 200 H
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
130
250
200
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE2361T 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE2360TAF 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360TAK 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360TAS 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE2360TBC 0.5 A, 350 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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MJE200_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors
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MJE200TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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