參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18604D2BG
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 45/61頁
文件大?。?/td> 386K
代理商： MJE18604D2BG
2–3
Selector Guide
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Table 1. Plastic (Isolated TO–220 Type)
Device Type
Resistive Switching
ICCont
Amps
Max
VCEO(sus)
Volts
Min
VCES
Volts
Min
NPN
PNP
hFE
Min/Max
@ IC
Amp
ts
s
Max
tf
s
Max
@ IC
Amp
fT
MHz
Min
PD (Case)
Watts
@ 25
°C
1
250
MJF47
30/150
0.3
2 typ
0.17 typ
0.3
10
28
2
400
700
BUL44F
14/34
0.2
2.75(3)
0.2(3)
1
13 typ
25
1000
MJF18002
14/34
0.2
2.75(3)
0.175(3)
1
13 typ
25
3
100
MJF31C
MJF32C
10 min
1
0.6
0.3
1
3
28
5
100
MJF122 (2)
MJF127 (2)
2000 min
3
1.5 typ
3
4(1)
28
400
700
BUL45F
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
12 typ
35
450
1000
BUT11AF
10 min
.005
4
0.8
2.5
40
1000
MJF18004
14/34
0.3
1.7(3)
0.15(3)
1
13 typ
35
550
1200
MJF18204
18/35
0.5
2.75(3)
0.2(3)
2
12
35
6
400
700
BUL146F
14/34
0.5
2.5(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
450
1000
MJF18006
14/34
0.5
3.2(3)
0.15(3)
3
14 typ
40
8
80
MJF6107
30/90
2
0.5 typ
0.13 typ
2
4
35
150
MJF15030
MJF15031
40 min
3
1 typ
0.15 typ
3
30
35
400
700
MJF13007
5/30
5
3
0.7
5
4
40
BUL147F
14/34
1
2.5(3)
0.18(3)
2
14 typ
45
450
1000
MJF18008
16/34
1
2.75(3)
0.18(3)
2
13 typ
45
10
60
MJF3055
MJF2955
20/100
4
—
2
40
80
MJF44H11
MJF45H11
40/100
4
0.5 typ
0.14 typ
5
40
35
100
MJF6388 (2)
MJF6668 (2)
3k/20k
3
1.5 typ
20(1)
40
450
1000
MJF18009
14/34
1.5
2.75(3)
0.2(3)
3
12
50
12
400
700
MJF13009
6/30
8
3
0.7
8
40
(1)|hFE| @ 1 MHz
(2)Darlington
(3)Switching tests performed w/special application simulator circuit. See data sheet for details.
Devices listed in bold, italic are Motorola preferred devices.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
1
3
2
CASE 221D
Isolated TO–220 Type
UL Recognized
File #E69369
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18604D2BA 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18604D2AN 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18604D2AJ 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18604D2 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE18604D2BV 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJE200 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200_07 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Silicon Power Plastic Transistors
MJE200G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE200TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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