參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18604D2AJ
廠(chǎng)商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 25/61頁(yè)
文件大小： 386K
代理商： MJE18604D2AJ
5–9
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TO–220 Leadform Options (continued)
LEADFORM BS
LEADFORM AF
.050 REF.
.200 REF.
.100 REF.
MOUNTING
SURFACE
LEAD
.040 MIN.
0.018
± .005
0.080
± 0.015
0.296
± 0.020
.557
(REF.)
.660
± .02
0.607
± 0.015
0.325
± 0.020
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18604D2 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE18604D2BV 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18604D2AK 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18604D2DW 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18604D2BC 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJE200TSTU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Si Epitaxial Short Leads RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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