- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網 > PDF目錄98020 > MJE18206BD (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE18206BD |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 23/67頁 |
| 文件大?。?/td> | 543K |
| 代理商： | MJE18206BD |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁
MJE18206 MJF18206
3–771
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load (D.C.
≤ 10%, Pulse Width = 40 s)
Turn–on Time
IC = 3 Adc, IB1 = 0.6 Adc
@ TC = 25°C
ton
200
350
ns
Turn–off Time
CB1
IB2 = 1.5 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
2
2.5
2.5
s
Turn–on Time
IC = 3 Adc, IB1 = 0.6 Adc
@ TC = 25°C
ton
190
250
ns
Turn–off Time
CB1
IB2 = 0.6 Adc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
3.7
4.5
4.5
s
Turn–on Time
IC = 1 Adc IB1 = 70 mAdc
@TC =25°C
td
125
300
ns
IC = 1 Adc, IB1 = 70 mAdc
IB2 = 1 Adc
@ TC = 25°C
tr
400
750
ns
Turn–off Time
B2
VCC = 125 Vdc
PW=70
s
@TC =25°C
ts
600
1.2
s
PW = 70
s
@ TC = 25°C
tf
450
700
ns
Turn–on Time
IC = 1 Adc, IB1 = 100 mAdc
IB2 = 500 mAdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ton
250
225
350
ns
Turn–off Time
IB2 = 500 mAdc
VCC = 300 Vdc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
toff
2
2.5
2.75
s
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load (Vclamp = 300 V, VCC = 15 V, L = 200 H)
Fall Time
I1 3 Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
150
225
200
ns
Storage Time
IC = 1.3 Adc
IB1 = 0.13 Adc
IB2 = 0.65 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
1.6
1.9
2
s
Crossover Time
IB2 0.65 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
260
300
350
ns
Fall Time
I3 Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
300
400
450
ns
Storage Time
IC = 3 Adc
IB1 = 0.6 Adc
IB2 = 1.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
2.25
2.5
2.75
s
Crossover Time
IB2 1.5 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
500
700
800
ns
Fall Time
I3 Ad
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tf
350
500
500
ns
Storage Time
IC = 3 Adc
IB1 = 0.6 Adc
IB2 = 0.6 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ts
4.25
5.1
5
s
Crossover Time
IB2 0.6 Adc
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
tc
600
1100
800
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18604D2BS | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18604D2BG | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18604D2BA | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18604D2AN | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18604D2AJ | 3 A, 800 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE182G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 80V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE182STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18604 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
| MJE18604D2 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:POWER TRANSISTORS 3 AMPERES 1600 VOLTS 100 WATTS |
| MJE200 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。