參數(shù)資料
型號： MJE18206AN
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 34/67頁
文件大?。?/td> 543K
代理商： MJE18206AN
MJE18206 MJF18206
3–772
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
100
10
1
10
1
0.1
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
VCE = 1 V
Figure 2. DC Current Gain @ 3 Volts
100
10
1
10
1
0.1
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
TJ = – 20°C
VCE = 3 V
Figure 3. DC Current Gain @ 5 Volts
100
10
1
10
1
0.1
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
TJ = 125°C
VCE = 5 V
Figure 4. Collector Saturation Region
2
0
10000
1000
100
10
IB, BASE CURRENT (mA)
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1
7 A
5 A
4 A
Figure 5A. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
1
0.1
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC/IB = 5
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
0.01
3 A
VCE(sat)
(IC = 2 A)
Figure 5B. Collector–Emitter Saturation Voltage
10
1
0.01
10
1
0.1
0.001
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
IC/IB = 10
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
0.1
0.01
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
TJ = 25°C
VCE(sat)
(IC = 1 A)
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PDF描述
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MJE182STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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