參數(shù)資料
型號： MJE18204
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： POWER TRANSISTORS
中文描述： 5 A, 600 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： CASE 221A-09, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 484K
代理商： MJE18204
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
VCEO(sus)
550
630
(IEBO = 1 mA, IC = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 600 V, IB = 0)
ICEO
200
μ
Adc
@ TC = 25
°
C
@ TC = 125
°
C
100
Collector Cutoff Current
(VCE = 1000 V, VBE = 0)
Collector Cutoff Current
100
μ
Adc
(IC = 1 Adc, IB = 0.1 Adc)
0.83
1.1
(IC = 2 Adc, IB = 0.4 Adc)
@ TC = 125
°
C
@ TC = 25
°
C
0.7
0.3
1.25
0.6
DC Current Gain
hFE
°
C
@ TC = 125
°
C
8
23
13
—
°
C
@ TC = 125
C
5
4
8
6
—
(IC = 5 mAdc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25
°
C
10
25
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth (IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
Cob
MHz
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
Dynamic Saturation
IB1 = 660 mAdc
VCC = 300 V
@ TC = 125
°
C
7.5
3
μ
s respectively after
@ 3
μ
s
@ TC = 25
°
C
7
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PDF描述
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