- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98019 > MJE18009BV (ON SEMICONDUCTOR) 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE18009BV |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/66頁 |
| 文件大小： | 512K |
| 代理商： | MJE18009BV |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁當(dāng)前第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁
MJE18009 MJF18009
3–751
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector–Emitter Sustaining Voltage
(IC = 100 mA, L = 25 mH)
VCEO(sus)
450
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, IB = 0)
ICEO
100
Adc
Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCES, VEB = 0)
Collector Cutoff Current (VCE = 800 V, VEB = 0)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
ICES
100
500
100
Adc
Emitter–Cutoff Current
(VEB = 9 Vdc, IC = 0)
IEBO
100
Adc
ON CHARACTERISTICS
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3 Adc, IB = 0.3 Adc)
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
(IC = 7 Adc, IB = 1.4 Adc)
VBE(sat)
0.8
0.9
1.1
1.15
1.25
Vdc
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 3 Adc, IB = 0.3 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(sat)
0.3
0.6
0.65
Vdc
(IC = 5 Adc, IB = 1 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.3
0.6
0.65
(IC = 7 Adc, IB = 1.4 Adc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
0.35
0.4
0.7
0.9
DC Current Gain
(IC = 1.5 Adc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
hFE
14
29
34
—
(IC = 5 Adc, VCE = 1 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
10
8
13
11.5
(IC = 7 Adc, VCE = 1 Vdc)
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
7
5
10
7.5
—
(IC = 10 mAdc, VCE = 5 Vdc)
@ TC = 25°C
10
25
—
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain Bandwidth
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 MHz)
fT
12
MHz
Output Capacitance
(VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 1 MHz)
Cob
150
200
pF
Input Capacitance
(VEB = 8 Vdc)
Cib
2750
3500
pF
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
Dynamic Saturation
IC = 3 Adc
IB1 = 300 mAdc
@ 1
s
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
VCE(dsat)
8
13.5
V
Dynamic Saturation
Voltage:
Determined 1
s and
IB1 = 300 mAdc
VCC = 300 V
@ 3
s
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
4
8
3
s respectively after
rising IB1 reaches
90% of final IB1
IC = 7 Adc
IB1 =1 4Adc
@ 1
s
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
15
21
90% of final IB1
IB1 = 1.4 Adc
VCC = 300 V
@ 3
s
@ TC = 25°C
@ TC = 125°C
2
2.7
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18009BC | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AN | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AK | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AJ | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AF | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE181 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE181G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 60V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。