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    參數(shù)資料
    型號: MJE18008BC
    廠商: ON SEMICONDUCTOR
    元件分類: 功率晶體管
    英文描述: 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
    封裝: PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
    文件頁數(shù): 24/65頁
    文件大?。?/td> 503K
    代理商: MJE18008BC
    Outline Dimensions and Leadform Options
    5–4
    Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
    Outline Dimensions (continued)
    STYLE 1:
    PIN 1. BASE
    2. COLLECTOR
    3. EMITTER
    4. COLLECTOR
    NOTES:
    1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
    Y14.5M, 1982.
    2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
    A
    D
    V
    G
    K
    S
    L
    U
    B
    Q
    E
    C
    J
    H
    CASE 340D–01
    DIM
    MIN
    MAX
    MIN
    MAX
    INCHES
    MILLIMETERS
    A
    19.00
    19.60
    0.749
    0.771
    B
    14.00
    14.50
    0.551
    0.570
    C
    4.20
    4.70
    0.165
    0.185
    D
    1.00
    1.30
    0.040
    0.051
    E
    1.45
    1.65
    0.058
    0.064
    G
    5.21
    5.72
    0.206
    0.225
    H
    2.60
    3.00
    0.103
    0.118
    J
    0.40
    0.60
    0.016
    0.023
    K
    28.50
    32.00
    1.123
    1.259
    L
    14.70
    15.30
    0.579
    0.602
    Q
    4.00
    4.25
    0.158
    0.167
    S
    17.50
    18.10
    0.689
    0.712
    U
    3.40
    3.80
    0.134
    0.149
    V
    1.50
    2.00
    0.060
    0.078
    12
    3
    4
    DIM
    A
    MIN
    MAX
    MIN
    MAX
    INCHES
    20.40
    20.90
    0.803
    0.823
    MILLIMETERS
    B
    15.44
    15.95
    0.608
    0.628
    C
    4.70
    5.21
    0.185
    0.205
    D
    1.09
    1.30
    0.043
    0.051
    E
    1.50
    1.63
    0.059
    0.064
    F
    1.80
    2.18
    0.071
    0.086
    G
    5.45 BSC
    0.215 BSC
    H
    2.56
    2.87
    0.101
    0.113
    J
    0.48
    0.68
    0.019
    0.027
    K
    15.57
    16.08
    0.613
    0.633
    L
    7.26
    7.50
    0.286
    0.295
    P
    3.10
    3.38
    0.122
    0.133
    Q
    3.50
    3.70
    0.138
    0.145
    R
    3.30
    3.80
    0.130
    0.150
    U
    5.30 BSC
    0.209 BSC
    V
    3.05
    3.40
    0.120
    0.134
    STYLE 3:
    PIN 1. BASE
    2. COLLECTOR
    3. EMITTER
    4. COLLECTOR
    CASE 340F–03
    R
    P
    A
    K
    V
    F
    D
    G
    U
    L
    E
    0.25 (0.010) M TB M
    0.25 (0.010) M YQ S
    J
    H
    C
    4
    12
    3
    –T–
    –B–
    –Y–
    –Q–
    NOTES:
    1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
    Y14.5M, 1982.
    2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
    STYLE 2:
    PIN 1. BASE
    2. COLLECTOR
    3. EMITTER
    DIM
    A
    MIN
    MAX
    MIN
    MAX
    MILLIMETERS
    0.621
    0.629
    15.78
    15.97
    INCHES
    B
    0.394
    0.402
    10.01
    10.21
    C
    0.181
    0.189
    4.60
    4.80
    D
    0.026
    0.034
    0.67
    0.86
    F
    0.121
    0.129
    3.08
    3.27
    G
    0.100 BSC
    2.54 BSC
    H
    0.123
    0.129
    3.13
    3.27
    J
    0.018
    0.025
    0.46
    0.64
    K
    0.500
    0.562
    12.70
    14.27
    L
    0.045
    0.060
    1.14
    1.52
    N
    0.200 BSC
    5.08 BSC
    Q
    0.126
    0.134
    3.21
    3.40
    R
    0.107
    0.111
    2.72
    2.81
    S
    0.096
    0.104
    2.44
    2.64
    U
    0.259
    0.267
    6.58
    6.78
    –B–
    –Y–
    G
    N
    D
    L
    K
    H
    A
    F
    Q
    3 PL
    12 3
    M
    B
    M
    0.25 (0.010)
    Y
    SEATING
    PLANE
    –T–
    U
    C
    S
    J
    R
    CASE 221D–02
    (TO–218)
    (TO–220)
    (TO–247AE)
    NOTES:
    1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
    Y14.5M, 1982.
    2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
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    PDF描述
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    MJE18009BC 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
    MJE18009AN 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
    MJE18009AK 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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    參數(shù)描述
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    MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
    MJE180G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
    MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)(最大):1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大):30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度(最大):200mV @ 100mA,1A 電流 - 集電極截止(最大):100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA,5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3(TO-236) 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
    MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2