- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄98019 > MJE18008BC (ON SEMICONDUCTOR) 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MJE18008BC |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 24/65頁 |
| 文件大?。?/td> | 503K |
| 代理商： | MJE18008BC |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁當前第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁
Outline Dimensions and Leadform Options
5–4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
A
D
V
G
K
S
L
U
B
Q
E
C
J
H
CASE 340D–01
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
MILLIMETERS
A
19.00
19.60
0.749
0.771
B
14.00
14.50
0.551
0.570
C
4.20
4.70
0.165
0.185
D
1.00
1.30
0.040
0.051
E
1.45
1.65
0.058
0.064
G
5.21
5.72
0.206
0.225
H
2.60
3.00
0.103
0.118
J
0.40
0.60
0.016
0.023
K
28.50
32.00
1.123
1.259
L
14.70
15.30
0.579
0.602
Q
4.00
4.25
0.158
0.167
S
17.50
18.10
0.689
0.712
U
3.40
3.80
0.134
0.149
V
1.50
2.00
0.060
0.078
12
3
4
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
INCHES
20.40
20.90
0.803
0.823
MILLIMETERS
B
15.44
15.95
0.608
0.628
C
4.70
5.21
0.185
0.205
D
1.09
1.30
0.043
0.051
E
1.50
1.63
0.059
0.064
F
1.80
2.18
0.071
0.086
G
5.45 BSC
0.215 BSC
H
2.56
2.87
0.101
0.113
J
0.48
0.68
0.019
0.027
K
15.57
16.08
0.613
0.633
L
7.26
7.50
0.286
0.295
P
3.10
3.38
0.122
0.133
Q
3.50
3.70
0.138
0.145
R
3.30
3.80
0.130
0.150
U
5.30 BSC
0.209 BSC
V
3.05
3.40
0.120
0.134
STYLE 3:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
CASE 340F–03
R
P
A
K
V
F
D
G
U
L
E
0.25 (0.010) M TB M
0.25 (0.010) M YQ S
J
H
C
4
12
3
–T–
–B–
–Y–
–Q–
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 2:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
DIM
A
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
0.621
0.629
15.78
15.97
INCHES
B
0.394
0.402
10.01
10.21
C
0.181
0.189
4.60
4.80
D
0.026
0.034
0.67
0.86
F
0.121
0.129
3.08
3.27
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.123
0.129
3.13
3.27
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.500
0.562
12.70
14.27
L
0.045
0.060
1.14
1.52
N
0.200 BSC
5.08 BSC
Q
0.126
0.134
3.21
3.40
R
0.107
0.111
2.72
2.81
S
0.096
0.104
2.44
2.64
U
0.259
0.267
6.58
6.78
–B–
–Y–
G
N
D
L
K
H
A
F
Q
3 PL
12 3
M
B
M
0.25 (0.010)
Y
SEATING
PLANE
–T–
U
C
S
J
R
CASE 221D–02
(TO–218)
(TO–220)
(TO–247AE)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE18009BV | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009BC | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AN | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AK | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE18009AJ | 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE18008G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 450V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE18009 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS |
| MJE180G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 40V 12.5W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJE180PWD | 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標準包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| MJE180STU | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。