參數(shù)資料
型號(hào)： MJE18008AU
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 23/65頁(yè)
文件大小： 503K
代理商： MJE18008AU
MJE18008 MJF18008
3–744
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
TJ = 125°C
C,
CAP
ACIT
ANCE
(pF)
0.01
100
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 1. DC Current Gain @ 1 Volt
h
FE
,DC
CURRENT
GAIN
Figure 2. DC Current Gain @ 5 Volts
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
Figure 3. Collector Saturation Region
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
Figure 5. Base–Emitter Saturation Region
Figure 6. Capacitance
10
1
110
100
10
1
0.01
0.1
1
10
2
0.01
IB, BASE CURRENT (AMPS)
10
1
0.01
IC COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1.3
1
0.8
0.4
0.01
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.1
1
10
1000
100
1
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
1
1000
1
0
0.1
110
10000
10
0.1
1
10
TJ = 25°C
TJ = – 20°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
V
CE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
IC/IB = 10
IC/IB = 5
V
BE
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
1.1
0.9
0.6
0.5
1.5
1.2
TJ = 25°C
3 A
5 A
8 A 10 A
TJ = 25°C
TJ = 125°C
TJ = 25°C
TJ = 125°C
IC/IB = 5
IC/IB = 10
TJ = – 20°C
IC = 1 A
0.7
Cob
100
Cib
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
VCE = 1 V
VCE = 5 V
TJ = 25°C
f = 1 MHz
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE18008AS 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18008BC 8 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BV 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009BC 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJE18009AN 10 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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MJE18009 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:POWER TRANSISTORS
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MJE180PWD 功能描述:TRANSISTOR NPN 40V 3A RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJE180STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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