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型號: | MJE13070-DR6280 |
廠商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 77K |
代理商: | MJE13070-DR6280 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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MJE13071-DR6259 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE13071-6265 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE13071-6226 | 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE15028 | 8 A, 120 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
MJE15029 | 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJE13071 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
MJE1320 | 制造商:ISC 制造商全稱:Inchange Semiconductor Company Limited 功能描述:Silicon NPN Power Transistors |
MJE15028 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJE15028_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:8 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 120−150 VOLTS, 50 WATTS |
MJE15028G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
*型號 | *數(shù)量 | 廠商 | 批號 | 封裝 |
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