參數(shù)資料
型號(hào)： MJE15029
廠(chǎng)商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 120 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 526K
代理商： MJE15029
MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C unless otherwise noted)
MJE15028
MJE15030
SYMBOL
MJE15029
MJE15031
UNITS
Collector-Base Voltage
VCBO
120
150
V
Collector-Emitter Voltage
VCEO
120
150
V
Emitter-Base Voltage
VEBO
5.0
V
Continuous Collector Current
IC
8.0
A
Peak Collector Current
ICM
16
A
Base Current
IB
2.0
A
Power Dissipation
PD
2.0
W
Power Dissipation (TC=25°C)
PD
50
W
Operating and Storage Junction Temperature
TJ, Tstg
-65 to +150
°C
Thermal Resistance
ΘJA
62.5
°C/W
Thermal Resistance
ΘJC
2.5
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TC=25°C)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
ICBO
VCB=Rated VCBO
10
μA
ICEO
VCE=Rated VCEO
100
μA
IEBO
VEB=5.0V
10
μA
BVCEO
IC=10mA (MJE15028, MJE15029)
120
V
BVCEO
IC=10mA (MJE15030, MJE15031)
150
V
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
0.5
V
VBE(ON)
VCE=2.0V, IC=1.0A
1.0
V
hFE
VCE=2.0V, IC=100mA
40
hFE
VCE=2.0V, IC=2.0A
40
hFE
VCE=2.0V, IC=3.0A
40
hFE
VCE=2.0V, IC=4.0A
20
fT
VCE=10V, IC=500mA, f=10MHz
30
MHz
MJE15028 MJE15030
NPN
MJE15029 MJE15031
PNP
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
TO-220 CASE
Central
Semiconductor Corp.
TM
R0 (17-February 2009)
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR MJE15028/MJE15029
Series types are Complementary Silicon Power Transistors
designed for use in audio amplifier applications.
MARKING: FULL PART NUMBER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJE15030 8 A, 150 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE15031 8 A, 150 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE16002-DR6259 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE16002-6265 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
MJE16002-6226 5 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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參數(shù)描述
MJE15029 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR PNP -120V TO-220 制造商:SPC Multicomp 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -120V, TO-220
MJE15029G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 120V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15030 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15030G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJE15031 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 150V 50W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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