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參數(shù)資料
| 型號： | MJE13007BS |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 24/66頁 |
| 文件大?。?/td> | 462K |
| 代理商： | MJE13007BS |
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5–3
Outline Dimensions and Leadform Options
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Outline Dimensions (continued)
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.530 REF
38.86 REF
B
0.990
1.050
25.15
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.057
0.063
1.45
1.60
E
0.060
0.070
1.53
1.77
G
0.430 BSC
10.92 BSC
H
0.215 BSC
5.46 BSC
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.665 BSC
16.89 BSC
N
0.760
0.830
19.31
21.08
Q
0.151
0.165
3.84
4.19
U
1.187 BSC
30.15 BSC
V
0.131
0.188
3.33
4.77
CASE 197A–05
A
N
E
C
K
–T– SEATING
PLANE
2 PL
D
M
Q
M
0.30 (0.012)
Y M
T
M
Y
M
0.25 (0.010)
T
–Q–
–Y–
2
1
L
G
B
V
H
U
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.570
0.620
14.48
15.75
B
0.380
0.405
9.66
10.28
C
0.160
0.190
4.07
4.82
D
0.025
0.035
0.64
0.88
F
0.142
0.147
3.61
3.73
G
0.095
0.105
2.42
2.66
H
0.110
0.155
2.80
3.93
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.500
0.562
12.70
14.27
L
0.045
0.060
1.15
1.52
N
0.190
0.210
4.83
5.33
Q
0.100
0.120
2.54
3.04
R
0.080
0.110
2.04
2.79
S
0.045
0.055
1.15
1.39
T
0.235
0.255
5.97
6.47
U
0.000
0.050
0.00
1.27
V
0.045
–––
1.15
–––
Z
–––
0.080
–––
2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
12 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
CASE 221A–06
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. EMITTER
CASE: COLLECTOR
CASE 197–05
A
N
E
C
K
D 2 PL
SEATING
PLANE
–T–
U
L
M
Q
M
0.25 (0.010)
Y M
T
–Y–
H
G
B
–Q–
2
1
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
1.510
1.550
38.35
39.37
B
0.980
1.050
24.89
26.67
C
0.250
0.335
6.35
8.51
D
0.057
0.063
1.45
1.60
E
0.060
0.135
1.52
3.43
G
0.420
0.440
10.67
11.18
H
0.205
0.225
5.21
5.72
K
0.440
0.480
11.18
12.19
L
0.655
0.675
16.64
17.15
N
0.760
0.830
19.30
21.08
Q
0.151
0.175
3.84
4.19
U
1.177
1.197
29.90
30.40
(TO220–AB)
(TO–204AA)
(TO–204AE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJE13007BV | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13009AN | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13009AJ | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13009BA | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJE13009AU | 12 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJE13007D | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS |
| MJE13007DG-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS |
| MJE13007DL-TA3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱:UTC-IC 功能描述:NPN BIPOLAR POWER TRANSISTOR FOR SWITCHING POWER SUPPLY APPLICATIONS |
| MJE13007F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Switch Mode Application |
| MJE13007F_05 | 制造商:KEC 制造商全稱:KEC(Korea Electronics) 功能描述:TO-220IS PACKAGE |
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