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參數資料
| 型號： | MJD50T4 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
| 封裝： | TO-252, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 142K |
| 代理商： | MJD50T4 |
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Base-Emitter Saturation Voltage
DC Current Gain
Collector-Emitter Saturation Voltage
Collector-Base Capacitance
MJD50
3/6
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD6036 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6036-1 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6036T4 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6039T4 | 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD6039 | 4 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| MJD50T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD50T4G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 400V D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK |
| MJD50T4G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252 |
| MJD50TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD5731 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Power Transistors |
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