參數(shù)資料
型號(hào)： MJD50T4
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
中文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 184K
代理商： MJD50T4
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS — continued
Symbol
Min
Max
Unit
Collector Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
MJD50
ICES
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
hFE
—
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product
fT
10
—
MHz
25
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
APPROX
+11 V
RB
–4 V
t1
SCOPE
VCC
RC
51
RB and RC VARIED TO OBTAIN
DESIRED CURRENT LEVELS.
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
TC
DUTY CYCLE
≈
2%
APPROX –9 V
t1
≤
7 ns
10 < t2 < 500
μ
s
t3 < 15 ns
Vin 0
Cjd << Ceb
Vin
t2
t3
APPROX
+11 V
Vin
TURN–ON PULSE
TA (SURFACE MOUNT)
VEB(off)
TURN–OFF PULSE
TYPICAL CHARACTERISTICS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD50-1 NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
MJD50 High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications
MJD6036 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6036-1 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
MJD6036T4 SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD50T4G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 1A 400V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD50T4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 400V D-PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V D-PAK
MJD50T4G-CUT TAPE 制造商:ON 功能描述:MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252
MJD50TF 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD5731 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage PNP Silicon Power Transistors
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*