參數(shù)資料
型號： MJD50
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS
中文描述： 1 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/6頁
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代理商： MJD50
2
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
(TC = 25 C unless otherwise noted)
Characteristic
OFF CHARACTERISTICS — continued
Symbol
Min
Max
Unit
Collector Cutoff Current
(VBE = 5 Vdc, IC = 0)
MJD50
ICES
mAdc
ON CHARACTERISTICS (1)
DC Current Gain
hFE
—
(IC = 1 Adc, VCE = 10 Vdc)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Current Gain — Bandwidth Product
fT
10
—
MHz
25
25
Figure 1. Power Derating
T, TEMPERATURE (
°
C)
0
50
75
100
125
150
20
15
10
5
P
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
APPROX
+11 V
RB
–4 V
t1
SCOPE
VCC
RC
51
RB and RC VARIED TO OBTAIN
DESIRED CURRENT LEVELS.
2.5
0
2
1.5
1
0.5
TA
TC
TC
DUTY CYCLE
≈
2%
APPROX –9 V
t1
≤
7 ns
10 < t2 < 500
μ
s
t3 < 15 ns
Vin 0
Cjd << Ceb
Vin
t2
t3
APPROX
+11 V
Vin
TURN–ON PULSE
TA (SURFACE MOUNT)
VEB(off)
TURN–OFF PULSE
TYPICAL CHARACTERISTICS
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PDF描述
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