參數(shù)資料
型號(hào)： MJD47
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1 A, 250 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： TO-252, DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大?。?/td> 145K
代理商： MJD47
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
8.33
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
Collector Cut-off
Current (VBE = 0)
VCE = 350 V
0.1
mA
ICEO
Collector Cut-off
Current (IB = 0)
VCE = 150 V
0.1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 5 V
1
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 30 mA
250
V
VCE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
IC = 1 A
IB = 0.2 A
1
V
VBE(on)
Base-Emitter On
Voltage
IC = 1 A
VCE = 10 V
1.5
V
hFE
DC Current Gain
IC = 0.3 A
VCE = 10 V
IC = 1 A
VCE = 10 V
30
10
150
fT
Transition Frequency
IC = 0.2 A
VCE = 10 V
f = 2MHz
10
MHz
hfe
Small Signal Current
Gain
IC = 0.2 A
VCE = 10 V
f = 1KHz
25
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle 1.5 %
Safe Operating Area
Derating Curves
MJD47
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PDF描述
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MJD6036-1 4 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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