參數(shù)資料
型號(hào)： MJD45H11-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： MJD45H11-I
MJD45H1
1—
PNP
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD45H11 Rev. C3
4
Physical Dimension (Continued)
6.60
±0.20
0.76
±0.10
MAX0.96
2.30TYP
[2.30
±0.20]
2.30TYP
[2.30
±0.20]
0.60
±
0.20
0.80
±
0.10
1.80
±
0.20
9.30
±
0.30
16.10
±
0.30
6.10
±
0.20
0.70
±
0.20
5.34
±0.20
0.50
±0.10
0.50
±0.10
2.30
±0.20
(0.50)
(4.34)
I-PAK
Dimensions in Millimeters
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PDF描述
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MJD45H11RLG 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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