參數(shù)資料
型號： MJD45H11-I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 158K
代理商： MJD45H11-I
MJD45H1
1—
PNP
Epit
axial
Silicon
T
ransistor
2010 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
MJD45H11 Rev. C3
2
Typical Performance Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Safe Operating Area
Figure 3. Power Derating vs TC
Figure 4. Power Derating vs TA
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
VCE = -1V
h
FE
,D
C
CU
RREN
T
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
5ms
100
s
500
s
1m
s
DC
I
CP(max)
I
C(max)
I C
[A],
C
O
LLE
CTO
R
CU
RREN
T
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
25
P
C
[W
],PO
WER
DISSIPATI
O
N
T
C[
oC], CASE TEMPERATURE
0
25
50
75
100
125
150
175
0
1
2
3
4
P
C
[W
],PO
WER
DISSIPATI
O
N
T
A[
oC], CASE TEMPERATURE
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