型號(hào): | MJD42CT4 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | SILICON POWER TRANSISTORS 6 AMPERES 100 VOLTS 20 WATTS |
中文描述: | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
文件頁(yè)數(shù): | 2/6頁(yè) |
文件大小: | 195K |
代理商: | MJD42CT4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD50 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS |
MJD50T4 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS |
MJD50-1 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS 1 AMPERE 250, 400 VOLTS 15 WATTS |
MJD50 | High Voltage and High Reliability D-PAK for Surface Mount Applications |
MJD6036 | SILICON POWER TRANSISTORS 4 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD42CT4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD42CTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD44 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON PNP TRANSISTORS |
MJD44E3 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Darlington Power Transistor DPAK For Surface Mount Applications 10 AMPERES 80 VOLTS, 20 WATTS |
MJD44E3-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:NPN DARLINGTON SILICON POWER TRANSISTOR 10 AMPERES 80 VOLTS 20 WATTS |