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參數(shù)資料
| 型號： | MJD42C-I |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | IPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 47K |
| 代理商： | MJD42C-I |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD42C
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
V
CE
= -2V
h
FE
,DC
C
URRENT
GAI
N
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
= 10 I
B
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE
(s
a
t),
V
CE
(s
at)
[V
],
S
A
T
URA
T
ION
V
O
LT
A
G
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
C
ob
[pF
],
C
A
P
A
CI
T
A
NCE
V
CB[V], COLLECTOR-BASE VOLTAGE
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
t
R
V
CC = -30V
I
C = 10.IB
t
D VBE(off)=-5V
t R
,t
D
[
s],
T
URN
ON
T
IM
E
I
C[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
VCC = -30V
IC = 10.IB
tSTG
tF
t ST
G
,t
F
[
s],
T
URN
O
F
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-1
-10
-100
-1000
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
5m
s
100
s
500
s
1m
s
DC
I
CP
(max)
I
C(max)
I C
[A],
COL
L
ECT
O
R
CURRENT
V
CE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJD42CI | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11I | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11-I | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD44H11 | 8 A, 80 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
| MJD45H11 | 8 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MJD42CRLG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJD42CT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 20W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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