型號: | MJD340T4 |
廠商: | STMICROELECTRONICS |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA |
封裝: | TO-252, DPAK-3 |
文件頁數(shù): | 2/5頁 |
文件大?。?/td> | 503K |
代理商: | MJD340T4 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD340 | 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252 |
MJD41C-I | 6 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD42-I | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD42C-I | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD42CI | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD340T4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD340TF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD340TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 300V 3-D-PAK |
MJD350 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
MJD350-1 | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS |