參數(shù)資料
型號： MJD340
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 503K
代理商： MJD340
THERMAL DATA
Rthj-case
Rthj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Max
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
8.33
100
oC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25
oC unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector Cut-off
Current (vBE = 0)
VCB = 300 V
0.1
mA
IEBO
Emitter Cut-off Current
(IC = 0)
VEB = 3 V
0.1
mA
VCEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(IB = 0)
IC = 1 mA
300
V
hFE
DC Current Gain
IC = 50 mA
VCE = 10 V
30
240
Pulsed: Pulse duration = 300 s, duty cycle ≤ 2 %
For PNP type voltage and current values are negative.
Safe Operating Area
Derating Curve
MJD340 / MJD350
2/5
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PDF描述
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