參數(shù)資料
型號： MJD32TF
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 109K
代理商： MJD32TF
Package Demensions
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A2, June 2001
MJD32/
32C
Dimensions in Millimeters
6.60
±0.20
2.30
±0.10
0.50
±0.10
5.34
±0.30
0.70
±0.20
0.60
±0.20
0.80
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
9.50
±0.30
6.10
±0.20
2.70
±0.20
MIN0.55
0.76
±0.10
0.50
±0.10
1.02
±0.20
2.30
±0.20
6.60
±0.20
0.76
±0.10
(5.34)
(1.50)
(2XR0.25)
(5.04)
0.89
±0.10
(0.10)
(3.05)
(1.00)
(0.90)
(0.70)
0.91
±0.10
2.30TYP
[2.30
±0.20]
2.30TYP
[2.30
±0.20]
MAX0.96
(4.34)
(0.50)
D-PAK
相關PDF資料
PDF描述
MJD32I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340-I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD350-1 0.5 A, 300 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340-1 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MJD340 功能描述:兩極晶體管 - BJT 0.5A 300V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD340_03 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD340_11 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:High Voltage Power Transistors
MJD340-1 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:SILICON POWER TRANSISTORS 0.5 AMPERE 300 VOLTS 15 WATTS
MJD340-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT HIGH VOLTAGE NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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