參數(shù)資料
型號： MJD32CT4-A
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 3/9頁
文件大?。?/td> 249K
代理商： MJD32CT4-A
MJD32CT4-A
Electrical characteristics
Doc ID 13576 Rev 3
3/9
2
Electrical characteristics
Tcase = 25 °C unless otherwise specified.
2.1
Electrical characteristic (curves)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICES
Collector cut-off current
(VBE = 0)
VCE = - 100 V
-
-20
A
ICEO
Collector cut-off current
(IB = 0)
VCB = - 60 V
-
-50
A
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = - 5 V
-
-0.1
mA
VCEO(sus)
(1)
1.
Pulse test: pulse duration
≤ 300 s, duty cycle ≤ 2 %
Collector-emitter
sustaining voltage (IB = 0)
IC = - 30 mA
-100
-
V
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = - 3 A
_ IB = - 375 mA
-
-1.2
V
VBE(on)
(1)
Base-emitter on voltage
IC = - 3 A
_
VCE = - 4 V
-
-1.8
V
hFE
DC current gain
IC = - 1 A
_ _ VCE = - 4 V
IC = - 3 A
VCE = - 4 V
25
10
-
50
Figure 2.
Safe operating area
Figure 3.
Derating curve
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32CT4 3 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252AA
MJD32TF 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD32I 3 A, 40 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340-I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD340I 0.5 A, 300 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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MJD32CT4G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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MJD32CTF_NBDD002 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32CTF_SBDD002 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
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