參數(shù)資料
型號： MJD32B
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： MJD32B
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
8.33
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE
= Max Rating
20
μ
A
I
CEO
V
CE
= 60 V
50
μ
A
I
EBO
V
EB
= 5 V
0.1
mA
V
CEO(sus)
I
C
= 30 mA
for
MJD31B/32B
for
MJD31C/32C
80
100
V
V
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Voltage
I
C
= 3 A
I
B
= 375 mA
1.2
V
V
BE(on)
h
FE
I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V
1.8
V
DC Current Gain
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
25
10
50
h
fe
Dynamic Current Gain
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
f = 1 KHz
f = 1 MHz
20
3
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
For PNP type voltage and currentvalues are negative.
Safe OperatingArea
DeratingCurves
MJD31B/31C - MJD32B/32C
2/5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32C COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
MJD32C SILICON POWER TRANSISTORS
MJD31 NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications)(NPN硅外延晶體管（通用放大器和低速開關(guān)作用）)
MJD31C NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications)(NPN硅外延晶體管（通用放大器和低速開關(guān)作用）)
MJD32 PNP Silicon Darlington Transistor(PNP達(dá)林頓硅晶體管（通用放大器和低速開關(guān)作用）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD32BT4 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Gen Pur Switch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32BTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD32C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 3A PNP SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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