參數(shù)資料
型號： MJD31C
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Epitaxial Silicon Transistor(General Purpose Amplifier and Low Speed Switching Applications)(NPN硅外延晶體管（通用放大器和低速開關(guān)作用）)
中文描述： 3 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： DPAK-3
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大?。?/td> 444K
代理商： MJD31C
2000 Fairchild Semiconductor International
Rev. A. February 2000
M
Typical Characteristics
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD32 PNP Silicon Darlington Transistor(PNP達林頓硅晶體管（通用放大器和低速開關(guān)作用）)
MJD340 Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
MJD350 Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
MJD340 NPN High Voltage Power Transistors(NPN高電壓功率晶體管)
MJD350 PNP High Voltage Power Transistors(PNP高電壓功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD31C1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C-1 制造商:Motorola Inc 功能描述:Bipolar Junction Transistor, NPN Type, TO-252VAR
MJD31C-13 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 5A NPN SMT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 3A 100V 15W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MJD31C1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:BIPOLAR TRANSISTOR NPN 100V IPAK-4
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