型號(hào): | MJD210I |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類(lèi): | 功率晶體管 |
英文描述: | 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
封裝: | IPAK-3 |
文件頁(yè)數(shù): | 6/6頁(yè) |
文件大小: | 76K |
代理商: | MJD210I |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MJD2955-I | 10 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD29C-1 | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD29-1 | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD29-T1 | 1 A, 40 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
MJD29C-T1 | 1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MJD210-I | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱(chēng):Fairchild Semiconductor 功能描述:D-PAK for Surface Mount Applications |
MJD210L-TM3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS |
MJD210L-TN3-R | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS |
MJD210L-TN3-T | 制造商:UTC-IC 制造商全稱(chēng):UTC-IC 功能描述:PNP SILICON DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS |
MJD210RL | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 5A 25V 12.5W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |