參數(shù)資料
型號(hào)： MJD210I
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 25 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： IPAK-3
文件頁數(shù)： 2/6頁
文件大小： 76K
代理商： MJD210I
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
MJD210
Rev. A2, June 2001
Typical Characteristics
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Figure 3. Collector Output Capacitance
Figure 4. Turn On Time
Figure 5. Turn Off Time
Figure 6. Safe Operating Area
-0.01
-0.1
-1
-10
1
10
100
1000
VCE=-1V
VCE=-2V
h
FE
,DC
C
URRE
NT
G
A
IN
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
-0.01
-0.1
-1
-10
IC=10IB
VBE(sat)
VCE(sat)
V
CE
(s
a
t),
V
BE
(s
a
t)
[V
],
SAT
U
R
AT
IO
N
VO
L
T
AG
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
1
10
100
1000
C
ob
[pF
],
C
A
P
A
CI
T
A
NCE
VCB[V], COLLECTOR BASE VOLTAGE
-0.01
-0.1
-1
-10
0.01
0.1
1
10
tD
tR
VCC=-30V
IC=10IB
t R
,t
D
[n
s],
T
URN
ON
T
IME
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.01
-0.1
-1
-10
10
100
1000
tF
tSTG
VCC=-30V
IC=10IB
IB1=IB2
t ST
G
,t
F[n
s],
T
URN
O
F
T
IM
E
IC[A], COLLECTOR CURRENT
-0.1
-1
-10
-100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
DC
5m
s
1m
s
50
0s
100m
σ
I C
[A],
CO
L
ECT
O
R
CU
RRENT
VCE[V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
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PDF描述
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