參數(shù)資料
型號(hào)： MJD13003-I
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： CASE 369-07, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： MJD13003-I
MJD13003
http://onsemi.com
4
REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA AND INDUCTIVE SWITCHING
RESISTIVE
SWITCHING
OUTPUT WAVEFORMS
TEST
CIRCUITS
CIRCUIT
V
ALUES
TEST
W
A
VEFORMS
NOTE:
PW and VCC Adjusted for Desired IC
RB Adjusted for Desired IB1
5
V
PW
DUTY CYCLE ≤ 10%
tr, tf ≤ 10 ns
68
1
k
0.001 F
0.02 F
1N493
3
270
+5 V
1
k 2N290
5
47
1/2
W
100
-VBE(off)
MJE20
0
D.U.T.
IB
RB
1N493
3
1N493
3
33
2N222
2
1
k
MJE21
0
VCC
+5 V
L
IC
MR826
*
Vclamp
*SELECTED FOR ≥ 1 kV
VCE
5.1
k
51
+125 V
RC
SCOPE
-4 V
D
1
RB
D.U.T.
COIL DATA:
FERROXCUBE CORE #6656
FULL BOBBIN (~200 TURNS)
#20
GAP FOR 30 mH/2
A
Lcoil = 50 mH
VCC = 20 V
Vclamp = 300 Vdc
VCC = 125 V
RC = 125
D1 = 1N5820 OR EQUIV.
RB = 47
IC
VCE
IC(pk)
t1
tf
t
t2
TIM
E
VCE OR
Vclamp
tf
CLAMPED
t1 ADJUSTED TO
OBTAIN IC
t1 ≈
Lcoil (ICpk)
VCC
t2 ≈
Lcoil (ICpk)
Vclamp
TEST EQUIPMENT
SCOPE-TEKTRONICS
475 OR EQUIVALENT
+10.3
V
25 s
0
-8.5 V
tr, tf < 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
RB AND RC ADJUSTED
FOR DESIRED IB AND IC
Table 1. Test Conditions For Dynamic Performance
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PDF描述
MJD13003 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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