參數(shù)資料
型號： MJD127T4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 9/12頁
文件大?。?/td> 578K
代理商： MJD127T4
Electrical characteristics
MJD122, MJD127
6/12
Doc ID 3541 Rev 11
Figure 8.
Base-emitter saturation voltage for
NPN type
Figure 9.
Base-emitter saturation voltage for
PNP type
Figure 10.
Base-emitter on voltage for NPN
type
Figure 11.
Base-emitter on voltage for PNP
type
Figure 12.
Resistive load switching times for
NPN type (on)
Figure 13.
Resistive load switching times for
PNP type (on)
VBE(sat)
1.5
1.0
0.5
0.1
Ic(A)
1
hFE= 250
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
(V)
2.0
AM00700v1
VBE(sat)
-1.5
-1.0
-0.5
-0.1
Ic(A)
-1
hFE= 250
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
(V)
-2.0
AM03261v1
VBE(on)
1.5
1.0
0.5
0.1
Ic(A)
1
VCE= 3 V
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
(V)
2.0
AM03262v1
VBE(on)
-1.5
-1.0
-0.5
- 0.1
Ic(A)
-1
Tj= -40 °C
Tj= 25 °C
Tj=125 °C
(V)
-2.0
VCE= -3 V
AM03263v1
t(ns)
100
10
0
Ic(A)
2
Delay time
Rise time
1
3
5
4
Vcc= 30 V
hFE=250
Vbeoff= - 5 V
Ibon= - Iboff
AM03264v1
t(ns)
100
10
0
Ic(A)
-2
Delay time
Rise time
-1
-3
-5
-4
Vcc= -30 V
hFE=250
Vbeoff= 5 V
-Ibon= Iboff
AM03265v1
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PDF描述
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MJD13003 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13003T4 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
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參數(shù)描述
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