參數(shù)資料
型號： MJD127T4
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 8 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
封裝： ROHS COMPLIANT, DPAK-3
文件頁數(shù)： 1/12頁
文件大?。?/td> 578K
代理商： MJD127T4
April 2009
Doc ID 3541 Rev 11
1/12
12
MJD122
MJD127
Complementary power Darlington transistors
Features
■ Low collector-emitter saturation voltage
■ Integrated antiparallel collector-emitter diode
Applications
■ General purpose linear and switching
Description
The devices are manufactured in planar
technology with “base island” layout and
monolithic Darlington configuration. The resulting
transistors show exceptional high gain
performance coupled with very low saturation
voltage.
Figure 1.
Internal schematic diagrams
DPAK
1
3
PNP: R1= 16 K
R2= 60
NPN: R1= 7 K
R2= 70
Table 1.
Device summary
Order codes
Marking
Polarity
Package
Packaging
MJD122T4
MJD122
NPN
DPAK
Tape and reel
MJD127T4
MJD127
PNP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MJD122T4 8 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-252
MJD13003-I 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13003 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD13003T4 1.5 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
MJD18002D2-1 2 A, 450 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MJD127T4G 功能描述:達(dá)林頓晶體管 8A 100V Bipolar Power PNP RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127TF 功能描述:達(dá)林頓晶體管 PNP Si Transistor Darlington RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
MJD127-TP 功能描述:TRANS PNP 100V 8A DPAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
MJD128 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Darlington Power Transistor
MJD128T4 功能描述:TRANS DARL PNP 8A 120V DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR
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