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參數(shù)資料
| 型號： | MJB42CG |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 6 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | LEAD FREE, PLASTIC, CASE 418B-04, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 5/6頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 代理商： | MJB42CG |
MJB41C (NPN),
http://onsemi.com
5
PACKAGE DIMENSIONS
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
SEATING
PLANE
S
G
D
T
M
0.13 (0.005)
T
23
1
4
3 PL
K
J
H
V
E
C
A
DIM
MIN
MAX
MIN
MAX
MILLIMETERS
INCHES
A
0.340
0.380
8.64
9.65
B
0.380
0.405
9.65
10.29
C
0.160
0.190
4.06
4.83
D
0.020
0.035
0.51
0.89
E
0.045
0.055
1.14
1.40
G
0.100 BSC
2.54 BSC
H
0.080
0.110
2.03
2.79
J
0.018
0.025
0.46
0.64
K
0.090
0.110
2.29
2.79
S
0.575
0.625
14.60
15.88
V
0.045
0.055
1.14
1.40
B
M
B
W
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 418B01 THRU 418B03 OBSOLETE,
NEW STANDARD 418B04.
F
0.310
0.350
7.87
8.89
L
0.052
0.072
1.32
1.83
M
0.280
0.320
7.11
8.13
N
0.197 REF
5.00 REF
P
0.079 REF
2.00 REF
R
0.039 REF
0.99 REF
M
L
F
M
L
F
M
L
F
VARIABLE
CONFIGURATION
ZONE
R
N
P
U
VIEW WW
12
3
D2PAK 3
CASE 418B04
ISSUE J
8.38
0.33
1.016
0.04
17.02
0.67
10.66
0.42
3.05
0.12
5.08
0.20
mm
inches
SCALE 3:1
*For additional information on our PbFree strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
SOLDERING FOOTPRINT*
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MJB5742T4G | 8 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD112I | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117-1 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD117T4 | 2 A, 100 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| MJD112-1 | 2 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MJB42CT4 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 65W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB42CT4G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6A 100V 65W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB44H11 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MJB44H11_05 | 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:Complementary Power Transistors D2PAK for Surface Mount |
| MJB44H11G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 8A 80V 50W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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